Chińska hybryda przyspiesza tranzystory
12 sierpnia 2013, 11:43Naukowcy z chińskiego Uniwersytetu Fudan opisali w magazynie Science technologię umożliwiającą przyspieszenie tranzystorów. Chińczycy wpadli na pomysł połączenia tranzysotrów MOSFET z tunelowymi tranzystorami polowymi (TFET). Taka hybryda ma zużywać mniej prądu, a przy tym pracować szybciej
E-skóra lekka jak piórko
26 lipca 2013, 12:57Zespół z Uniwersytetu Tokijskiego zaprojektował ultralekką folię (3 g m−2) spełniającą funkcję czujnika. Wykonana z niej e-skóra mogłaby monitorować organizm czy pomagać w komunikacji przez dotyk.
Foton wyłącza światło
5 lipca 2013, 18:40Z najnowszego numeru Science dowiadujemy się, że badacze z MIT-u, Uniwersytetu Harvarda oraz Wiedeńskiego Uniwersytetu Technologicznego skonstruowali optyczny przełącznik kontrolowany przez pojedynczy foton. Jeszcze kilkanaście miesięcy temu pisaliśmy, że z idealną sytuacją mielibyśmy do czynienia, gdyby za pomocą jednego fotonu udało się sterowac przepływem światła. Teraz ta idealna sytuacja staje się rzeczywistością.
Tranzystor bez półprzewodników
24 czerwca 2013, 11:37Od kilku dziesięcioleci wykorzystujemy półprzewodniki do budowy podzespołów elektronicznych. Poszczególne elementy układów stają się coraz mniejsze i mniejsze. Jednak proces miniaturyzacji nie będzie trwał wiecznie. Yoke Khin Yap, fizyk z Michigan Technological University, mówi, że w ciągu 10-20 lat dojdziemy do fizycznych granic miniaturyzacji półprzewodników
Prawo Moore'a wrogiem konkurentów Intela?
14 maja 2013, 12:30Linley Gwennap, analityk z Linley Group, przygotował raport, w którym stwierdza, że samo prawo Moore'a spowoduje, że większość konkurentów Intela przestanie się liczyć na rynku najnowocześniejszych układów scalonych. Związane z prawem Moore'a wciąż rosnące koszty wytwarzania coraz mniejszych tranzystorów spowodują, że na dotrzymanie kroku Intelowi stać będzie tylko największych
Wiedzą, jak zbadać molibdenit
22 kwietnia 2013, 16:41Disiarczek molibdenu (MoS2), występujący często w postaci molibdenitu to, jak niejednokrotnie informowaliśmy, niezwykle obiecujący materiał. Ma wiele właściwościo podobnych do grafenu, a że, w przeciwieństwie do niego, posiada przerwę energetyczną, może być bez większych przeszkód używany w elektronice.
Grafenowo-molibdenitowy układ pamięci
20 marca 2013, 17:19Szwajcarzy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli dwa rewolucyjne materiały - grafen i molibdenit - w prototypowy układ pamięci flash. Uczeni z EPFL już przed dwoma laty zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu, a kilka miesięcy później zaprezentowali pierwszy układ scalony wykonany z tego materiału.
Chiny gonią Zachód
27 grudnia 2012, 08:27Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.
Krzem ma poważną konkurencję
10 grudnia 2012, 19:46Inżynierowie z MIT-u wyprodukowali najmniejszy tranzystor uzyskany z arsenku galu. Tym samym dowiedli, że materiał ten może w niedalekiej przyszłości zastąpić krzem w roli głównego półprzewodnika uzywanego w elektronice
IBM ogłasza nanorurkowy przełom
29 października 2012, 09:30Badacze z IBM-a poinformowali na łamach Nature o dokonaniu przełomu, który zbliża nas do pojawienia się na rynku układów scalonych wykorzystujących węglowe nanorurki (CNT). Inżynierowie z laboratorium w Nowym Jorku opracowali technologię umieszczania dużej liczby tranzystorów CNT na pojedynczym układzie scalonym
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9 …
